PCVD

PCVD的全稱：(Plasma Asisted Chmical Vapor Deposition)。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 二、原理： PCVD的原理與輝光離子放電等離子體滲氮的原理相似，同樣是利用低溫等離子體（非平衡等離子體）。工件置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱源）使工件升溫到預(yù)定溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在工件表面形成一層薄膜。它包括了化學(xué)氣相沉積的一般技術(shù)，又有輝光放電的強(qiáng)化作用。 PCVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備與等離子體滲氮設(shè)備相似，包括：電源、真空爐體、真空獲得系統(tǒng)、進(jìn)氣系統(tǒng)、氣體凈化系統(tǒng)等。它繼承了CVD和PVD的優(yōu)點(diǎn),克服了缺點(diǎn)。

CVD與PCVD的異同點(diǎn)如下：

1、工件表面超硬化處理方法主要有物li 氣相沉積（PVD），化學(xué)氣相沉積（CVD），物理化學(xué)氣相沉積（PCVD），擴(kuò)散法金屬碳化物履層技術(shù)，其中，CVD法具有膜基結(jié)合力好，工藝?yán)@鍍性好等突出優(yōu)點(diǎn)，因此其應(yīng)用主要集中在硬質(zhì)合金等材料上。PCVD法的沉積溫度低，膜基結(jié)合力及工藝?yán)@鍍性均較PVD法有較大改進(jìn)，但與擴(kuò)散法相比，膜基結(jié)合力有較大的差距，PVD法具有沉積溫度低，工件變形小的優(yōu)點(diǎn)，但由于膜層與基體的結(jié)合力較差，工藝?yán)@鍍性不好，往往難以發(fā)揮超硬化合物膜層的性能優(yōu)勢(shì)。此外由于PCVD法是等離子體成膜，雖然繞鍍性較PVD法有所改善，不過沒有辦法消除。

2、由擴(kuò)散法金屬碳化物覆層技術(shù)形成的金屬碳化物覆層，與基體形成冶金結(jié)合，具有PVD、PCVD無法比擬的膜基結(jié)合力，因此該技術(shù)真正能夠發(fā)揮超硬膜層的性能優(yōu)勢(shì)，此外，該技術(shù)沒有繞鍍性問題，后續(xù)基體硬化處理方便，并可多次重復(fù)處理，使該技術(shù)的適用性更加廣泛。

3、CVD是在高溫遠(yuǎn)高于臨界溫度下，產(chǎn)物蒸汽形成過飽和蒸氣壓，自動(dòng)凝聚成晶核，在聚集成顆粒，在低溫區(qū)得到納米粉體。可以選擇條件來控制粉體的大小形狀等。對(duì)于PCVD，它是利用電弧產(chǎn)生高溫，將氣體等離子化，然后這些離子逐漸長大聚合，形成超細(xì)粉體，該方法反應(yīng)溫度高，升溫冷卻速率較快。